RRAM寫入

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201780084177.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110226203A 公開（公告）日 2019-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110226203A 申請(qǐng)公布日 2019-09-10
分類號(hào) G11C13/00（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 布倫特·豪克內(nèi)斯; 呂志超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/td>
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期J1棟A座14樓A-08室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種用于對(duì)施加至阻變式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)陣列的源極線或位線上的電流進(jìn)行限制或者對(duì)施加至該源極線或位線上的電壓進(jìn)行斜變的RRAM電路和相關(guān)方法。該RRAM陣列具有一條或多條源極線以及一條或多條位線。其中，控制電路在設(shè)置操作過(guò)程中將RRAM單元設(shè)置為低阻態(tài)，以及在重置操作過(guò)程中將該RRAM單元重置為高阻態(tài)。施加至位線或源極線上的電壓在第一時(shí)間間隔內(nèi)斜變，在第二時(shí)間間隔內(nèi)保持于最大電壓值，在該第二時(shí)間間隔后停止施加。