基于含單向選擇器的OTP存儲(chǔ)陣列的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理加速器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011183992.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112750477A 公開（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112750477A 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類號(hào) G11C7/12;G11C8/08;G11C8/14;G06N3/04;G06N3/063;G06N5/04 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 趙亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥?？莆㈦娮佑邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹廷廷
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期J1棟A座14樓A-08室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于含單向選擇器的OTP存儲(chǔ)陣列的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理加速器。在一些實(shí)施方式中，一種存儲(chǔ)陣列可包括：多個(gè)一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)單元，每一個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元均包括：一次性可編程存儲(chǔ)元件；頂電極，該頂電極具有與所述一次性可編程存儲(chǔ)元件接觸的上表面；與所述頂電極的下表面接觸的介電層；底電極；以及致密層，所述致密層具有與所述介電層接觸的上表面以及與所述底電極接觸的下表面，其中，該致密層包含Al2O3或MgO。