垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110503049.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112993752B | 公開(公告)日 | 2021-09-17 |
| 申請公布號 | CN112993752B | 申請公布日 | 2021-09-17 |
| 分類號 | H01S5/183 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁棟;張成;劉嵩 | 申請(專利權)人 | 常州縱慧芯光半導體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 213000 江蘇省常州市武進國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法。垂直腔面發(fā)射激光器包括:襯底;第一反射層,覆蓋襯底;有源層,位于第一反射層遠離襯底的一側(cè);第二反射層,位于有源層遠離第一反射層的一側(cè);第一氧化層,位于第二反射層內(nèi)沿第一方向相對的兩側(cè);電極金屬層,位于第二反射層遠離有源層的一側(cè),且與第一氧化層對應;第二反射層內(nèi)還設置有第一離子注入層;沿第一方向和第二方向,第一離子注入層均延伸至第二反射層的邊界;沿第三方向,第一離子注入層與第二反射層的邊界不接觸;其中,第二方向為垂直于襯底的方向,第一方向與第三方向相交且均與第二方向垂直。本發(fā)明實施例能夠提高垂直腔面發(fā)射激光器的調(diào)制頻率。 |





