一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制造方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010143670.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111313235B | 公開(公告)日 | 2021-09-14 |
| 申請公布號 | CN111313235B | 申請公布日 | 2021-09-14 |
| 分類號 | H01S5/183;H01S5/042 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁棟;張成;翁瑋呈;丁維遵;劉嵩 | 申請(專利權(quán))人 | 常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 王華英 |
| 地址 | 213000 江蘇省常州市武進(jìn)國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提出一種垂直腔面發(fā)射激光器,包括,外延結(jié)構(gòu),包括第一反射層,有源層及第二反射層;至少一個第一溝槽,形成在所述外延結(jié)構(gòu)上,并且貫穿所述外延結(jié)構(gòu);多個第二溝槽,形成在所述多個第一溝槽之間,貫穿部分所述外延結(jié)構(gòu),暴露出所述第一反射層,將所述外延結(jié)構(gòu)分成多個發(fā)光單元;至少兩個絕緣層,形成在所述多個第一溝槽及所述多個第二溝槽內(nèi),且部分所述至少兩個絕緣層形成在所述多個發(fā)光單元之間;第一電極,形成在所述第一反射層的背面上;至少兩個第二電極,形成在所述多個第一溝槽及所述多個第二溝槽內(nèi),每一所述發(fā)光單元內(nèi)的多個發(fā)光子單元通過所述第二電極連接。本發(fā)明提出的垂直腔面發(fā)射激光器應(yīng)用頻率快。 |





