一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制造方法與應(yīng)用
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010143255.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111211482B | 公開(公告)日 | 2021-09-14 |
| 申請公布號 | CN111211482B | 申請公布日 | 2021-09-14 |
| 分類號 | H01S5/042;H01S5/183 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張成;劉嵩;梁棟;翁瑋呈;丁維遵;趙勵;張鵬飛;毛明明 | 申請(專利權(quán))人 | 常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 王華英 |
| 地址 | 213000 江蘇省常州市武進國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)鳳翔路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提出一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制造方法與應(yīng)用,包括,襯底;第一反射層,形成在所述襯底上;至少兩個發(fā)光單元,形成在所述第一反射層上,每一所述發(fā)光單元包括至少兩個發(fā)光子單元;第一溝槽,形成在所述至少兩個發(fā)光單元之間,所述第一溝槽暴露出所述襯底;絕緣層,形成在所述第一溝槽內(nèi);第一電極,形成在所述至少兩個發(fā)光單元上,連接所述至少兩個發(fā)光單元,且每一所述發(fā)光單元內(nèi)的發(fā)光子單元通過所述第一電極連接,形成公共陽極;至少兩個第二電極,與所述第一反射層接觸;其中,所述第一電極覆蓋所述發(fā)光子單元,所述發(fā)光子單元發(fā)射的光線通過所述襯底出射。本發(fā)明提出的垂直腔面發(fā)射激光器應(yīng)用頻率快。 |





