一種寬帶TC-SAW器件及其制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111434266.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN114124020A | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114124020A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | H03H9/02(2006.01)I;H03H9/64(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 史向龍;陳曉陽(yáng);張俊茜;于倩至;蘇波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 北京航天微電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 馮瑛琪 |
| 地址 | 100854北京市海淀區(qū)永定路50號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域。具體的,本發(fā)明提供了一種寬帶TC?SAW器件,包括依次層疊的單晶壓電薄膜層、溫度補(bǔ)償層、高聲速薄膜層和襯底層。本發(fā)明還提供了上述寬帶TC?SAW器件的制備方法。上述器件具有機(jī)電耦合系數(shù)大、溫度系數(shù)小、Q值較高的優(yōu)點(diǎn)。 |





