硅基液晶顯示芯片制造方法及硅基液晶顯示芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011189724.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112731718A 公開（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112731718A 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/1343;G02F1/13 分類 光學(xué);
發(fā)明人 陳弈星;唐平大;于欽杭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京芯視元電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 俞翠華
地址 210032 江蘇省南京市江北新區(qū)星火路14號(hào)長峰大廈1號(hào)試驗(yàn)樓201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅基液晶顯示芯片制造方法及硅基液晶顯示芯片，方法包括：在襯底上淀積第一介電層；刻蝕第一介電層形成第一開口結(jié)構(gòu)；淀積第一金屬層填充第一開口結(jié)構(gòu)形成焊盤通孔塞，刻蝕第一金屬層形成焊盤結(jié)構(gòu)；在第一金屬層上淀積第二介電層和第三介電層；刻蝕第三介電層形成第二開口結(jié)構(gòu)；刻蝕第一介電層和第二介電層，形成第三開口結(jié)構(gòu)；淀積第二金屬層填充第三開口結(jié)構(gòu)和第二開口結(jié)構(gòu)，形成像素電極通孔塞和像素電極結(jié)構(gòu)；刻蝕第三介電層和第二介電層露出焊盤結(jié)構(gòu)，完成硅基液晶顯示芯片的制造。本發(fā)明可以使芯片焊盤結(jié)構(gòu)位置低于像素電極位置，芯片整體平整度得到大幅度提高，從而可以精確控制液晶厚度，提高硅基液晶顯示芯片性能。