一種光刻套刻標(biāo)識設(shè)計方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911388384.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110908256B 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN110908256B 申請公布日 2021-11-26
分類號 G03F9/00 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 張利斌;韋亞一;董立松;粟雅娟 申請（專利權(quán)）人 南京誠芯集成電路技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 南京中盟科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 江冬萍
地址 210000 江蘇省南京市浦口區(qū)江浦街道浦濱路320號科創(chuàng)一號大廈B座21樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的一種光刻套刻標(biāo)識設(shè)計方法，涉及集成電路工藝應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，包括步驟S01、設(shè)計曝光區(qū)域內(nèi)部的套刻標(biāo)識及其坐標(biāo)，每個曝光區(qū)域內(nèi)的套刻標(biāo)識不少于10個，套刻標(biāo)識的坐標(biāo)設(shè)計均勻涵蓋整個曝光區(qū)域；S02、設(shè)計曝光區(qū)域內(nèi)部的測量坐標(biāo)方式，通過互補型選點方式和綜合型選點方式兩種設(shè)計方式測量坐標(biāo)；S03、對晶圓進行曝光，并在晶圓范圍內(nèi)篩選套刻誤差的測量模型，在晶圓坐標(biāo)系下，對所有曝光區(qū)域按照水平和垂直方向進行標(biāo)號；S04、對套刻誤差數(shù)據(jù)進行分析和計算，并反饋給自動控制系統(tǒng)，用于自動修正光刻設(shè)備參數(shù)，提高了測量的靈活性和數(shù)據(jù)的可靠性，提高反饋修正精度和套刻誤差補償精度。