一種用于掩模制造和激光直寫光刻的雙重直寫方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010582950.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111781801B 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN111781801B 申請公布日 2021-07-23
分類號 G03F7/20（2006.01）I;G03F1/68（2012.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 馬樂;韋亞一;董立松;楊尚 申請（專利權(quán)）人 南京誠芯集成電路技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳婧
地址 211899江蘇省南京市浦口區(qū)江浦街道浦濱路320號科創(chuàng)一號大廈B座21樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于掩模制造和激光直寫光刻的雙重直寫方法，根據(jù)內(nèi)拐點將原始版圖拆分成多個矩形后，按照第一擴展路徑，將相鄰的相同走向的矩形進行相反方向的擴展，將相鄰的不同走向的矩形進行不同方向的擴展，完成第一次直寫，然后按照第一次直寫擴展規(guī)則，反向所述第一路徑進行第二次直寫擴展，直至所有矩形擴展完成；同時對第一次直寫和第一次直寫過程進行沖突判斷，并對沖突區(qū)域和不合理區(qū)域進行處理和調(diào)整，對兩次直寫進行結(jié)果驗證和規(guī)則驗證，提高制得的掩模的精度。