高耐受性增強(qiáng)型全氟質(zhì)子膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011374171.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112467182B 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN112467182B 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01M8/1051（2016.01）I;H01M8/1081（2016.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒業(yè)成;馬曉娟;張永明;王麗;張恒 申請（專利權(quán)）人 山東東岳未來氫能材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 耿霞
地址 256401山東省淄博市桓臺縣唐山鎮(zhèn)東岳氟硅材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及功能高分子復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高耐受性增強(qiáng)型全氟質(zhì)子膜及其制備方法。所述的高耐受性增強(qiáng)型全氟質(zhì)子膜，由全氟磺酸樹脂、多孔聚合物增強(qiáng)材料和添加劑組成，其中添加劑的含量為0.01?5wt％，全氟質(zhì)子膜的總厚度為5?50μm，多孔聚合物增強(qiáng)材料的厚度為2?30μm，在全氟質(zhì)子膜中的體積占比為20?60％，孔隙率為70％?95％。本發(fā)明的高耐受性增強(qiáng)型全氟質(zhì)子膜，不僅具有較高的強(qiáng)度和尺寸穩(wěn)定性，還具有較長的使用壽命；本發(fā)明還提供其制備方法。