一種雙槽型3D圖形疊層掩模襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法和外延生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910706284.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112309828A | 公開（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112309828A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-02 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京颶芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 邱曉鋒 |
| 地址 | 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街18號(hào)B座9層909室320號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種雙槽型3D圖形疊層掩模襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法和外延生長(zhǎng)方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。該雙槽型3D圖形疊層掩模襯底結(jié)構(gòu)，包括一襯底，襯底上依次設(shè)有底層掩模層、頂層掩模層，頂層掩模層通過介質(zhì)層與底層掩模層連接；底層掩模層設(shè)有周期性分布的底層窗口，頂層掩模層設(shè)有周期性分布的頂層窗口；每一個(gè)頂層窗口對(duì)應(yīng)兩個(gè)底層窗口，該兩個(gè)底層窗口對(duì)稱分布在其對(duì)應(yīng)的頂層窗口的兩側(cè)。本發(fā)明同時(shí)提供了該襯底結(jié)構(gòu)的制備方法以及基于該結(jié)構(gòu)的外延層生長(zhǎng)方法。本發(fā)明能消除由于晶格傾轉(zhuǎn)帶來的相鄰條形合并形成的臺(tái)階，從而生長(zhǎng)出大面積平整的高質(zhì)量側(cè)向外延氮化鎵薄膜材料，對(duì)后續(xù)在此基礎(chǔ)上進(jìn)行大量的器件外延工作有非常關(guān)鍵的作用。?? |
