一種基于3D疊層掩模襯底的外延層材料剝離方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010025960.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111192853A 公開(kāi)（公告）日 2020-05-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN111192853A 申請(qǐng)公布日 2020-05-22
分類號(hào) H01L21/78;H01L21/311 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京颶芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京颶芯科技有限公司
地址 100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街18號(hào)B座9層909室320號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于3D疊層掩模襯底的外延材料剝離方法，用于GaN等III?V族化合物半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)及剝離，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。本襯底結(jié)構(gòu)包括襯底，襯底上依次設(shè)有底層掩膜層、中間層、頂層掩膜層；其中底層掩膜層的窗口與頂層掩膜層的窗口相互錯(cuò)開(kāi)。本發(fā)明同時(shí)提供了該襯底結(jié)構(gòu)的制備方法以及基于該結(jié)構(gòu)的外延層剝離方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種更優(yōu)化的可剝離方法，提高了剝離成功率，縮短了剝離時(shí)間，更具有使用價(jià)值。