一種硅襯底上外延含Ga氮化物薄膜的疊層掩模方法和外延生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910706402.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112309841A 公開（公告）日 2021-02-02
申請公布號 CN112309841A 申請公布日 2021-02-02
分類號 H01L21/205(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曉蓉;鄭燁琳;馮筱;陳明蘭 申請（專利權）人 北京颶芯科技有限公司
代理機構 北京君尚知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 邱曉鋒
地址 100190北京市海淀區(qū)中關村大街18號B座9層909室320號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅襯底上外延含Ga氮化物薄膜的疊層掩模方法和外延生長方法。該疊層掩模方法將三維疊層掩模的底層窗口的寬度變窄，使得所述底層窗口露出的用于成核的硅襯底的橫向尺寸接近于含Ga氮化物最初形成的原子島的尺寸。優(yōu)選地，所述底層窗口的寬度為10～50nm。本發(fā)明減少了Si襯底上外延含Ga氮化物薄膜需要AlN預制層的工藝步驟，從而節(jié)省了時間，提高了生產(chǎn)效率，提高了產(chǎn)品良率，降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的高質量材料生長技術在含Ga氮化物產(chǎn)業(yè)具有重要的應用價值。??