微機(jī)電系統(tǒng)器件的真空封裝方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN02100469.2 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN1363509A | 公開(公告)日 | 2002-08-14 |
| 申請公布號 | CN1363509A | 申請公布日 | 2002-08-14 |
| 分類號 | B81C5/00 | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 金玉豐;張錦文;繆旻;郝一龍 | 申請(專利權(quán))人 | 北京國海嘉興聯(lián)合科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京華一君聯(lián)專利事務(wù)所 | 代理人 | 余長江 |
| 地址 | 100871北京市海淀區(qū)頤和園路5號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)器件的真空封裝方法,采用了蒸鍍的方法,在一批多個封裝外殼內(nèi)壁的一部或全部同時建立吸氣薄膜結(jié)構(gòu),能有效吸附真空封裝過程中釋放的殘余氣體和器件壽命期漏入或內(nèi)部結(jié)構(gòu)放出的氣體,從而起到維持真空的作用。其有效面積大,吸氣能力強(qiáng),真空度保持效果好附著力強(qiáng),固定性好,幾乎不占用空間,而且適用于形狀各異、尺寸微小的封裝腔體。其工藝流程與現(xiàn)有微機(jī)械加工技術(shù)銜接好、成本低、便于批量加工、成品率高、真空保持時效長、真空度高等特點(diǎn),可用于射頻、慣性、真空微電子等MEMS器件芯片的器件級封裝和芯片級封裝的真空封裝。 |





