一種高分辨率AMLOED顯示器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110453502.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113193022A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113193022A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 茆勝 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 睿馨（珠海）投資發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海洞鑒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉少偉 |
| 地址 | 519000 廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號(hào)105室-32897（集中辦公區(qū)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種高分辨率AMLOED顯示器件及其制備方法，其中，制備方法，包括以下步驟：在每個(gè)像素的子像素區(qū)域蒸鍍沉積一定厚度的薄膜為金屬陽(yáng)極層；在所述金屬陽(yáng)極層的頂部蒸鍍沉積一定厚度的薄膜為有機(jī)發(fā)光層；所述有機(jī)發(fā)光層的位置及圖形均與之對(duì)應(yīng)的金屬陽(yáng)極層的位置及圖形相同；所述蒸鍍沉積工藝采用通過(guò)高分辨率掩膜版完成的。有益效果是：采用金屬陽(yáng)極層直接圖形化，降低了OLED微型顯示器件的工藝復(fù)雜度，無(wú)需再采用光刻或刻蝕工藝引入額外的工藝步驟；保持了金屬陽(yáng)極層表面的高反射狀態(tài)；同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)OLED微型顯示器件在制造過(guò)程中，為紅、綠、藍(lán)OLED像素定制獨(dú)立的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)每種顏色的定制化和優(yōu)化的OLED器件結(jié)構(gòu)，提高發(fā)光效。 |
