一種基于雙隧穿化合物的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911354920.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113035968A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113035968A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類(lèi)號(hào) H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0256（2006.01）I;H01L31/028（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐敬超;張文君;石磊 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 杭州眾能光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 310018浙江省杭州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)海拓商務(wù)大廈3幢101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于雙隧穿化合物的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池，包括柵線、減反射層、第一透明導(dǎo)電氧化物、n型微晶硅或非晶硅（p型微晶硅或非晶硅）、第一隧穿化合物、N或P型單晶硅片、第二隧穿化合物、p型微晶硅或非晶硅（n型微晶硅或非晶硅）、第二透明導(dǎo)電氧化物、電子傳輸層（空穴傳輸層）、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層（電子傳輸層）、第三透明導(dǎo)電氧化物、減反射層和柵線。本發(fā)明直接在N或P型單晶硅片雙面形成隧穿化合物選擇性接觸，鈍化效果顯著，工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。另外，這種基于雙隧穿化合物的晶硅底部電池與鈣鈦礦頂部電池能夠輕易地實(shí)現(xiàn)更好的電流匹配，界面電荷傳輸更暢通，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高轉(zhuǎn)換效率和高穩(wěn)定性。