一種大規(guī)模生產(chǎn)四氯化硅的氣固反應(yīng)裝置以及生產(chǎn)設(shè)備
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201811338019.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN109331747A | 公開(公告)日 | 2019-02-15 |
| 申請公布號 | CN109331747A | 申請公布日 | 2019-02-15 |
| 分類號 | B01J8/24;C01B33/107 | 分類 | 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置; |
| 發(fā)明人 | 王姍;沈祖祥 | 申請(專利權(quán))人 | 成都蜀菱科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 葛松生 |
| 地址 | 610000 四川省成都市新津縣新津工業(yè)園區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)功能區(qū)新材18路 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種大規(guī)模生產(chǎn)四氯化硅的氣固反應(yīng)裝置,涉及化工設(shè)備領(lǐng)域,其包括殼體,以及由殼體圍成的相對密閉的反應(yīng)室,反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置有第一加熱體和第二加熱體。針對SiO2與碳混合物的氯化反應(yīng)為吸熱反應(yīng)的特點(diǎn),采用第一加熱體和第二加熱體將反應(yīng)室分隔成相對獨(dú)立的進(jìn)氣區(qū)、氣體加熱區(qū)和氣固反應(yīng)區(qū)。氣體原料依次穿過進(jìn)氣區(qū)、第一加熱體、氣體加熱區(qū)和第二加熱體,在充分預(yù)熱后再進(jìn)入到氣固反應(yīng)區(qū)與固體原料反應(yīng)。保證了吸熱反應(yīng)進(jìn)行過程中的熱量供給,更好地維持反應(yīng)的連續(xù)性和穩(wěn)定性。一種大規(guī)模生產(chǎn)四氯化硅的生產(chǎn)設(shè)備,其包括上述氣固反應(yīng)裝置。其設(shè)備簡單合理,生產(chǎn)效率高,可以實現(xiàn)四氯化硅的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。 |





