一種GaN基電子器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610497031.1 申請日 -
公開（公告）號 CN107546207A 公開（公告）日 2018-01-05
申請公布號 CN107546207A 申請公布日 2018-01-05
分類號 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳振 申請（專利權(quán)）人 江西省昌大光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 330096 江西省南昌市高新區(qū)艾溪北路699號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN基電子器件及其制備方法，在該GaN基電子器件從下到上依次為：襯底層、緩沖層、模板層、溝道層、勢壘層、柵漏源金屬層、邦定層以及用于封裝電子器件的封裝體。本發(fā)明提供的GaN基電子器件中芯片和封裝體中的金屬焊盤之間通過散熱性好的金屬(邦定層)直接連接，散熱性更好；同時器件有源區(qū)主要靠近上表面，這樣，芯片上表面和封裝體直接相連使得芯片工作時產(chǎn)生的熱量可以被快速傳遞，從而大大提高了電子器件的散熱性能，同時大大提高了電子器件的工作效率、穩(wěn)定性、可靠性和壽命。