半絕緣GaN薄膜及高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610497006.3 申請日 -
公開（公告）號 CN107546261A 公開（公告）日 2018-01-05
申請公布號 CN107546261A 申請公布日 2018-01-05
分類號 H01L29/20(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周名兵;陳振 申請（專利權(quán)）人 江西省昌大光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 330096 江西省南昌市高新區(qū)艾溪北路699號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半絕緣GaN薄膜及高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)，其中，該半絕緣GaN薄膜為碳和鐵摻雜的半絕緣GaN薄膜層，其中，碳的摻雜濃度范圍為1×1016cm?3～1×1020cm?3；鐵的摻雜濃度范圍為1×1016cm?3～1×1020cm?3。本發(fā)明操作方法簡單、成本低、工作效率高，通過該方法制備的半絕緣GaN品質(zhì)高、純度高，對雜質(zhì)的記憶效應(yīng)小，絕緣性能好，并能有效的減少漏電流。