一種SRAM單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201220309819.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN202677856U 公開（公告）日 2013-01-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN202677856U 申請(qǐng)公布日 2013-01-16
分類號(hào) G11C11/413(2006.01)I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 張震 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京申新智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215513 江蘇省蘇州市常熟市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)園研究院路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提出一種全新的6管SRAM單元結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)采用讀寫分開技術(shù)，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且此結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持?jǐn)?shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。仿真顯示了正確的讀寫功能，并且讀寫速度和6管基本相同，但是比普通6管SRAM單元讀寫功耗顯著降低。本實(shí)用新型能夠有效的提高靜態(tài)噪聲容限從而增強(qiáng)了存儲(chǔ)單元的穩(wěn)定性，并且極大的降低整體的功耗。