二極管結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811542384.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111326589A 公開（公告）日 2020-06-23
申請公布號 CN111326589A 申請公布日 2020-06-23
分類號 H01L29/861(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 陳曉亮;陳天;錢忠健;金興成;于紹欣 申請（專利權）人 無錫華潤微電子有限公司
代理機構 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 無錫華潤微電子有限公司
地址 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及二極管結構及其制備方法，該二極管結構包括半導體襯底；阱區(qū)，具有第一導電類型，形成于半導體襯底內(nèi)；柵區(qū)，包括形成于部分阱區(qū)上的柵氧層和形成于柵氧層上的多晶硅柵層，多晶硅柵層具有第二導電類型，多晶硅柵層的費米能級與半導體襯底的禁帶中心的能帶距離小于或等于0.3eV；及N型區(qū)和P型區(qū)，分別形成于柵區(qū)兩側的阱區(qū)內(nèi)。通過控制多晶硅柵層的功函數(shù)，使其費米能級位于半導體襯底禁帶中心附近，減小多晶硅柵層與其下方阱區(qū)的功函數(shù)差，降低兩者之間的接觸電勢，可解決漏電流、耐壓不穩(wěn)定等問題。??