快恢復二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610375180.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107452621B 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN107452621B 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L21/329;H01L29/868 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳天;顧勇;于紹欣;張旭;廖永亮 申請（專利權）人 無錫華潤微電子有限公司
代理機構 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 代理人 鄧云鵬
地址 214135 江蘇省無錫市無錫太湖國際科技園菱湖大道180號-22
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種快恢復二極管的制造方法，包括如下步驟：提供N型低摻雜襯底；在所述N型低摻雜襯底的第一表面形成功能區(qū)和終端分壓環(huán)區(qū)；在所述N型低摻雜襯底的第二表面進行深注入，形成位于N型低摻雜襯底內的N型摻雜層；在所述N型低摻雜襯底的第二表面進行注入，形成位于N型低摻雜襯底第二表面的N型高摻雜層。上述快恢復二極管的制造方法，通過在N型低摻雜襯底第二表面深注入形成N型摻雜層，提高了阻斷電壓，襯底厚度減小，使得到的快恢復二極管的正向壓降降低。