碳化硅肖特基二極管
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910147139.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111628008A | 公開（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請公布號 | CN111628008A | 申請公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 甘新慧;蔣正勇;朱家從;計建新;盛況;郭清 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫華潤微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 無錫華潤微電子有限公司;浙江大學(xué) |
| 地址 | 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-6 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種碳化硅肖特基二極管。包括有源區(qū)和有源區(qū)外圍的終端區(qū)，所述有源區(qū)包括摻雜區(qū)和未設(shè)置所述摻雜區(qū)的肖特基區(qū)，所述摻雜區(qū)的導(dǎo)電類型與所述有源區(qū)的襯底的導(dǎo)電類型相反，所述有源區(qū)被劃分為有源區(qū)中心區(qū)域和所述有源區(qū)中心區(qū)域外圍的有源區(qū)邊緣區(qū)域，所述有源區(qū)邊緣區(qū)域的S值比所述有源區(qū)中心區(qū)域的S值大，所述S值為所述肖特基區(qū)的面積與所述摻雜區(qū)的面積的比值，所述有源區(qū)邊緣區(qū)域的面積占有源區(qū)總面積的40％?80％。通過將有源區(qū)中心區(qū)域的摻雜區(qū)設(shè)置的更密集，改善了電子遷移率的問題，更好地避免了熱點失效。?? |
