淺溝槽隔離方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510640812.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106558529B 公開（公告）日 2020-04-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN106558529B 申請(qǐng)公布日 2020-04-21
分類號(hào) H01L21/762;H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金興成;顧勇;范一平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫華潤(rùn)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無錫華潤(rùn)微電子有限公司
地址 214135 江蘇省無錫市無錫太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-22
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種淺溝槽隔離方法，該淺溝槽隔離方法用于具有特殊高密度有源區(qū)的集成電路制造技術(shù)中，其中化學(xué)機(jī)械拋光的工序包括：利用第一研磨液對(duì)已沉積氧化硅薄膜的晶圓進(jìn)行第一次研磨，直至完全去除氮化硅層上的氧化硅薄膜時(shí)停止研磨；利用第二研磨液對(duì)第一次研磨后的晶圓進(jìn)行第二次研磨，直至所有溝槽內(nèi)的氧化硅薄膜表面被研磨平坦時(shí)停止研磨。其中，第一研磨液對(duì)氧化硅薄膜研磨的速率大于對(duì)氮化硅層研磨的速率；控制第二研磨液對(duì)氧化硅薄膜研磨的速率與對(duì)氮化硅層研磨的速率之比，以保證對(duì)相鄰的氧化硅薄膜和氮化硅層同時(shí)研磨時(shí)氧化硅薄膜不會(huì)出現(xiàn)凹陷。該淺溝槽隔離方法既能保證溝槽絕緣結(jié)構(gòu)表面被研磨后滿足均一性要求，又操作簡(jiǎn)單、成本低。