半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910421884.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111987044A | 公開（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申請公布號 | CN111987044A | 申請公布日 | 2020-11-24 |
| 分類號 | H01L21/8238(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 金興成;楊曉芳;于紹欣 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫華潤微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 無錫華潤微電子有限公司 |
| 地址 | 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-6 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件。制造方法包括：獲得襯底，襯底上形成有用于隔離出有源區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)；在襯底上形成P型阱區(qū)；在P型阱區(qū)上形成有源區(qū)；在有源區(qū)與隔離結(jié)構(gòu)邊界處的第一側(cè)和與第一側(cè)相對的第二側(cè)形成閾值電壓補償區(qū)域；形成柵極；其中，有源區(qū)包括形成于P型阱區(qū)中的源極區(qū)和漏極區(qū)；第一側(cè)和第二側(cè)的連線垂直于有源區(qū)的導(dǎo)電溝道方向，閾值電壓補償區(qū)域的空穴濃度大于P型阱區(qū)的空穴濃度。通過在有源區(qū)與隔離結(jié)構(gòu)交界處的相對兩側(cè)設(shè)置空穴濃度更高的閾值電壓補償區(qū)域，能夠中和該區(qū)域內(nèi)由于輻射感生的負電荷，形成了多閾值溝道結(jié)構(gòu)，能夠避免器件受到輻射后產(chǎn)生電路漏電設(shè)置器件誤開啟、電路誤翻轉(zhuǎn)等問題。?? |
