半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911422248.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113130500A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113130500A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L27/11521（2017.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于紹欣;馬鳳麟 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤微電子有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 虞凌霄
地址 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。包括提供包括存儲單元源極區(qū)和位于存儲單元源極區(qū)之間的連接區(qū)的襯底；獲取第零多晶硅層；依次形成介質(zhì)層和第一多晶硅層，形成帶光刻圖形的光刻膠，光刻圖形露出存儲單元源極區(qū)和連接區(qū)的第一多晶硅層，通過第一次刻蝕去除露出的存儲單元源極區(qū)和連接區(qū)的第一多晶硅層，通過第二次刻蝕完全去除露出的存儲單元源極區(qū)和連接區(qū)的介質(zhì)層，通過第三次刻蝕去除所述光刻圖形露出的存儲單元源極區(qū)的第零多晶硅層。在第三次刻蝕過程中，通過設(shè)定多晶硅和二氧化硅的刻蝕選擇比，使得刻蝕后連接區(qū)至少保留部分柵氧層，保護(hù)襯底免受刻蝕損傷，在保持芯片集成度不變的情況下，提高了器件的良率與可靠性。