一種碳化硅器件制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910145356.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111627802A 公開（公告）日 2020-09-04
申請公布號 CN111627802A 申請公布日 2020-09-04
分類號 H01L21/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱家從;蔣正勇;計建新;張偉民;盛況;郭清 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤微電子有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 無錫華潤微電子有限公司;浙江大學
地址 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅器件制備方法，包括：提供碳化硅基底，碳化硅基底具有第一導電類型，在碳化硅基底的正面上形成硬掩膜，硬掩膜上開設有注入窗口；對碳化硅基底進行第二導電類型離子注入，使部分碳化硅基底晶格結(jié)構(gòu)被破壞，形成具有預設形貌的晶格損傷區(qū)，第二導電類型與第一導電類型具有相反的導電性能；利用腐蝕液對碳化硅基底進行濕法刻蝕，以去除晶格損傷區(qū)內(nèi)的碳化硅，形成具有預設形貌的溝槽。通過離子注入形成晶格損傷區(qū)，再利用濕法刻蝕晶格損傷區(qū)形成溝槽，該刻蝕方法形成的溝槽不會出現(xiàn)微溝槽，且選擇離子注入的導電類型與基底的導電類型相反，可避免離子注入對基底摻雜濃度的影響。??