一種半導(dǎo)體器件制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910147136.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111627998A 公開（公告）日 2020-09-04
申請公布號 CN111627998A 申請公布日 2020-09-04
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏峰;陳蕾;甘新慧;蔣正勇;盛況;郭清 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤微電子有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無錫華潤微電子有限公司;浙江大學(xué)
地址 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種半導(dǎo)體器件制備方法，包括：提供第一導(dǎo)電類型碳化硅襯底；在碳化硅襯底上形成硬掩膜，對碳化硅襯底進行第一次離子注入形成多個第二導(dǎo)電類型埋層；去除硬掩膜，在碳化硅襯底上形成光刻膠層，對碳化硅襯底進行第二次離子注人以在埋層上方的碳化硅襯底的表層形成多個與埋層連接的第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，第二次離子注入為傾斜注入；垂直對阱區(qū)進行第三次離子注入，在阱區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型。通過上述三次離子注入，并在第二次離子注入時控制注入角度，自對準(zhǔn)地形成溝道，制備工藝簡單且靈活性更高。??