低EMI深溝槽隔離平面功率半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910932545.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110676306A 公開（公告）日 2020-01-10
申請公布號 CN110676306A 申請公布日 2020-01-10
分類號 H01L29/06（2006.01）; H01L21/336（2006.01）; H01L29/78（2006.01）; H01L23/552（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 白玉明; 楊飛; 吳凱; 張廣銀; 朱陽軍 申請（專利權(quán)）人 南京芯長征科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 南京芯長征科技有限公司
地址 211100 江蘇省南京市蘇源大道19號九龍湖國際企業(yè)總部園A2座（江寧開發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，尤其是一種低EMI深溝槽隔離平面功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，屬于功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域。其元胞區(qū)的元胞采用平面結(jié)構(gòu)，用終端通孔隔離取代現(xiàn)有場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)，終端面積顯著降低，降低芯片成本，提高芯片電流密度。將襯底柵極金屬和背面電極結(jié)構(gòu)放置在半導(dǎo)體襯底的背面，襯底源極金屬位于半導(dǎo)體襯底的正面，封裝時，將襯底源極金屬焊接在封裝基板上，襯底柵極金屬和背面電極結(jié)構(gòu)通過打線引出。由于襯底源極金屬是處于低電位，因此，封裝基板點位保持為低電位，封裝基板向外發(fā)射電磁場的效應(yīng)基本被消除，EMI干擾降低。