雙浸漬管硅鐵浴真空環(huán)流煉鎂裝置及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010255097.2 申請日 -
公開（公告）號 CN101906544B 公開（公告）日 2013-02-13
申請公布號 CN101906544B 申請公布日 2013-02-13
分類號 C22B26/22(2006.01)I 分類 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 牛強;儲少軍 申請（專利權）人 盾安控股集團有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 100864 北京市西城區(qū)三里河路52號中國科學院院士工作局
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了雙浸漬管硅鐵浴真空環(huán)流煉鎂的裝置及其方法，裝置包括：感應爐(101)、真空反應室(104)、上升浸漬管(102)和下降浸漬管(103)，上升浸漬管的管壁還連通導流的氬氣噴吹管(110)；連通的鎂蒸氣冷凝器(206)、鎂液噴淋器(210)和鎂液儲存器(202)，鎂礦粉輸送和噴射裝置(111)～(115)。所述工藝為含硅量30％～65％的硅鐵液，溫度為1350～1600℃；硅鐵液與噴吹入其中的鎂礦粉混合物在真空反應裝置和感應爐之間環(huán)形流動，真空度350Pa～10000Pa，反應生成鎂蒸氣，經(jīng)冷凝和鎂液噴淋生成鎂液入儲存裝置，澆注鎂錠。本發(fā)明具有節(jié)能低耗、生產(chǎn)率高等優(yōu)點。