基于螺旋狀多晶硅式場效應(yīng)管充電的半導(dǎo)體啟動器件及制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410478929.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104362149A 公開（公告）日 2015-02-18
申請公布號 CN104362149A 申請公布日 2015-02-18
分類號 H01L27/06(2006.01)I;H02M1/36(2007.01)I;H01L21/822(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡浩 申請（專利權(quán)）人 成都星芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊春
地址 610207 四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于螺旋狀多晶硅式場效應(yīng)管充電的半導(dǎo)體啟動器件，電阻的第一端和場效應(yīng)管的漏極連接作為輸入端，電阻的第二端、場效應(yīng)管的柵極、電子開關(guān)的第一端和二極管的負(fù)極連接，場效用管的源極、反饋控制模塊的負(fù)極信號輸入端與電容的第一端連接作為輸出端，反饋控制模塊的輸出端與電子開關(guān)的控制輸入端連接，反饋控制模塊的正極信號輸入端、電容的第二端、電子開關(guān)的第二端、穩(wěn)壓二極管的正極均接地。本發(fā)明還公開了一種半導(dǎo)體啟動器件的制造工藝，用BCD工藝集成場效應(yīng)管、電阻和穩(wěn)壓二極管。本發(fā)明所述半導(dǎo)體啟動器件采用集成的場效應(yīng)管直接對電容充電，因其自身導(dǎo)通時(shí)電阻小、功耗小，所以電源效率高、損耗小、發(fā)熱量低。