能消除襯底電壓影響的多晶電阻匹配方法及電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110928656.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113672018A 公開（公告）日 2021-11-19
申請公布號 CN113672018A 申請公布日 2021-11-19
分類號 G05F1/56（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 陳炳杰 申請（專利權(quán)）人 北京同芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫永樂唯勤專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 章陸一
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)五街38號院2號樓6層667室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種能消除襯底電壓影響的多晶電阻匹配方法及電路。將第一電阻單元第一電阻連接電極與第一電阻單元第一襯底連接電極設(shè)置為等電位，將第一電阻單元第二電阻連接電極與第一電阻單元第二襯底連接電極設(shè)置為等電位，以能使得第一電阻單元內(nèi)串接后的電阻體與串接后的襯底間具有相同的電位變化趨勢；將第二電阻單元第一電阻連接電極與第二電阻單元第一襯底連接電極設(shè)置為等電位，將第二電阻單元第二電阻連接電極與第二電阻單元第二襯底連接電極設(shè)置為等電位，以能使得第二電阻單元中串接后的電阻體與串接后的襯底間具有相同的電位變化趨勢，即能有效消除襯底電壓對多晶電阻匹配的影響，提高匹配的精度，適應(yīng)范圍廣，安全可靠。