太陽能級多晶硅片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610645274.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106048720B 公開（公告）日 2018-10-12
申請公布號 CN106048720B 申請公布日 2018-10-12
分類號 C30B29/06;C30B28/06;B28D5/00;H01L31/18 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王勇 申請（專利權(quán)）人 浙江恒都光電科技有限公司
代理機構(gòu) 嘉興海創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭文濤
地址 314416 浙江省嘉興市海寧市袁花工業(yè)園區(qū)袁溪路118號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了太陽能級多晶硅片的制備方法，在鑄錠爐兩側(cè)加熱器下方設(shè)置隔熱條；將硅原料裝入石英坩堝內(nèi)，把石英坩堝送進鑄錠爐；調(diào)節(jié)加熱器溫度為1400?1460℃，調(diào)節(jié)隔熱底板的開度在4?8cm，制得多晶硅；對多晶硅采用雙向切割工藝、砂漿回流處理、過濾分離后制得回流多晶硅，將回流多晶硅與去離子水混合后形成混合溶液，經(jīng)霧化、噴涂到坩堝的內(nèi)壁上，干燥后即為太陽能級多晶硅片。本發(fā)明降低產(chǎn)品孿晶的界面能，提供轉(zhuǎn)化效率的穩(wěn)定性，使整錠硅片的平均電池效率達到17.7％以上，減少環(huán)境污染，又可降低生產(chǎn)成本，提高硅錠的成晶率。