模擬中子發(fā)生器及制備方法、可控中子源故障檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011286327.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112512198A 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN112512198A 申請公布日 2021-03-16
分類號 E21B49/00(2006.01)I;G01V5/00(2006.01)I;H05H3/06(2006.01)I 分類 其他類目不包含的電技術;
發(fā)明人 陸杰;魏軍學;惠晗;付國華 申請（專利權）人 西安奧華電子儀器股份有限公司
代理機構 西安智邦專利商標代理有限公司 代理人 王楊洋
地址 710061陜西省西安市航天基地飛天路588號北航科技園1號樓4021-3室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及中子發(fā)生器，具體涉及一種模擬中子發(fā)生器及制備方法、可控中子源故障檢測方法。本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有可控中子源儀器用中子發(fā)生器存在中子管在無屏蔽的環(huán)境下試驗時靶壓不能超過20KV，遠低于實際工況下的靶壓，導致部分電參數(shù)不能全面檢測，可控中子源儀器一旦出現(xiàn)故障，在沒有相關中子屏蔽防護的狀態(tài)下可能會誤出中子射線，導致不能立刻全面檢測儀器，只能返廠維修，致使維修周期過長的技術問題，提供一種模擬中子發(fā)生器及制備方法、可控中子源故障檢測方法。該模擬中子發(fā)生器能加高壓，能電離但不會出射中子射線，使用該裝置后，可以測試高壓電路及電離電路，對全面分析儀器參數(shù)起到了促進作用，確保了試驗的安全性。??