高精度對位靶標(biāo)的加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111069505.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113891581A 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN113891581A 申請公布日 2022-01-04
分類號 H05K3/46（2006.01）I;H05K3/00（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 盧賽輝;劉蔡友;葉漢雄 申請（專利權(quán)）人 惠州中京電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 惠州市超越知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳文福
地址 516029廣東省惠州市仲愷高新區(qū)陳江街道中京路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請是關(guān)于一種高精度對位靶標(biāo)的加工方法。該方法包括：在覆銅板的第一線路層上覆感光膜；利用第一菲林對第一線路層進(jìn)行曝光處理，使得第一線路層上第一靶標(biāo)區(qū)的感光膜固化，第一靶標(biāo)隔離區(qū)的感光膜不固化；第一靶標(biāo)區(qū)是嵌套于第一靶標(biāo)隔離區(qū)中部的圓形區(qū)域；對曝光處理后的第一線路層進(jìn)行顯影處理；對顯影處理后的第一線路層進(jìn)行蝕刻處理，得到與第一靶標(biāo)區(qū)尺寸相匹配的圓形銅箔；在第一線路層上壓合銅箔，得到第二線路層；通過鐳射燒靶將第二線路層對位區(qū)的銅箔清除，使得第一靶標(biāo)區(qū)和第一靶標(biāo)隔離區(qū)露出于第二線路層，以圓形銅箔作為第二線路層的對位靶標(biāo)。本申請?zhí)峁┑姆桨?，能夠提升靶?biāo)的真圓度，提高抓靶質(zhì)量。