一種制備高純?nèi)饧淄榈姆椒?/p>
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201810628166.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN108675914A | 公開(公告)日 | 2018-10-19 |
| 申請公布號 | CN108675914A | 申請公布日 | 2018-10-19 |
| 分類號 | C07C17/389;C07C17/383;C07C19/16 | 分類 | 有機(jī)化學(xué)〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 董利;慶飛要;郭占英;賈曉卿 | 申請(專利權(quán))人 | 宇極(廊坊)新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京兆君聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 胡敬紅 |
| 地址 | 065001 河北省廊坊市開發(fā)區(qū)耀華道1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種制備高純?nèi)饧淄榈姆椒?。原料三氟碘甲烷在一定溫度和壓力下,以一定流量?jīng)過兩級吸附柱,除去大部分水以及部分有機(jī)雜質(zhì)后,進(jìn)入精餾塔中,在低溫下進(jìn)行間歇精餾,塔頂放空除去C1?C5的鹵代烷烴、鹵代烯烴、鹵代炔烴、氮?dú)狻⒀鯕?、二氧化碳、一氧化碳等雜質(zhì),從而得到純度大于99.99%的高純?nèi)饧淄?,其中H2O含量低于30ppmv,HF含量低于1ppmw,符合半導(dǎo)體刻蝕和電氣絕緣行業(yè)要求。該方法工藝合理,操作簡單,是制備高純?nèi)饧淄榈睦硐爰夹g(shù)。 |





