一種籽晶的鋪設方法、單晶硅錠的鑄造方法和單晶硅片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010027396.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113122913A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113122913A 申請公布日 2021-07-16
分類號 C30B15/36（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 雷琦;何亮;鄒貴付;程小娟;陳仙輝;甘勝泉 申請（專利權）人 新余賽維鑄晶技術有限公司
代理機構 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 熊永強
地址 338004江西省新余市高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N籽晶的鋪設方法，包括：提供坩堝、多個第一籽晶和多個第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生長面為同一晶向族，均為<100>；在所述坩堝底部交替拼接鋪設所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶層，其中，所述籽晶層包括至少一個2×2矩陣單元，在同一矩陣單元的對角線方向上的兩個第一籽晶的生長面晶向相反，在同一矩陣單元的對角線方向上的兩個第二籽晶的生長面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的側面晶向具有夾角。通過本申請?zhí)峁┑淖丫т佋O方法，使得籽晶與其周圍籽晶之間側面晶向均存在夾角，在制備單晶硅過程中可以形成晶界，減少缺陷的發(fā)生和引晶時的位錯源，降低位錯密度，提高硅錠的質量。