基于磁場耦合的隔離放大器結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020590909.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211908751U | 公開（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申請公布號 | CN211908751U | 申請公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號 | H03F3/68(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 黃海濱;馬輝;蔣賽尖 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張寧;楊辰 |
| 地址 | 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)長江路16號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及隔離放大器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于磁場耦合的隔離放大器結(jié)構(gòu)，其能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)送端、接收端、耦合器件集成于一個芯片，其包括發(fā)送端模塊、接收端模塊和耦合器件，其特征在于，所述發(fā)送端模塊包括順次連接的前置放大器/濾波器、脈沖寬度調(diào)制器、電流源開關(guān)組，所述接收端模塊包括順次連接的放大整形電路和低通濾波器，所述耦合器件包括線圈和磁傳感器，所述線圈和磁傳感器之間設(shè)置有絕緣層。?? |
