一種具有可見光波段的深紫外LED器件及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010026984.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111223969B | 公開(公告)日 | 2021-07-20 |
| 申請公布號 | CN111223969B | 申請公布日 | 2021-07-20 |
| 分類號 | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張駿;袁章潔;戴江南;陳長清 | 申請(專利權)人 | 武漢深紫科技有限公司 |
| 代理機構 | 武漢智嘉聯(lián)合知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 易賢衛(wèi) |
| 地址 | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)東信路數(shù)碼港(光谷創(chuàng)業(yè)街73號)E幢一層E1236室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種具有可見光波段的深紫外LED器件及其制備方法,所述具有可見光波段的深紫外LED器件由下至上依次設置有藍寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN層、電流擴展層、深紫外波段量子阱有源層、可見波段量子阱有源層、電子阻擋層、p型AlGaN注入層、p型GaN接觸層、DBR層、p電極以及n電極。本發(fā)明通過在外延結構中單片集成基于AlGaN材料的深紫外波段量子阱與基于InGaN材料的可見光波段的量子阱,從而真正實現(xiàn)單顆器件既有深紫外波段發(fā)光又有可見光波段發(fā)光,并簡化了雙色燈珠器件的制作工序,降低了雙色燈珠器件制作成本。 |





