一種非晶硅薄膜太陽能電池低功率芯片分析處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210303317.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102842654B 公開（公告）日 2015-08-12
申請公布號 CN102842654B 申請公布日 2015-08-12
分類號 H01L31/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊凱;董德慶;莊春泉;汪濤;唐茜 申請（專利權(quán)）人 四川漢能光伏有限公司
代理機構(gòu) 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊春
地址 518129 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道隆平路新天下工業(yè)城2棟一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種非晶硅薄膜太陽能電池低功率芯片分析處理方法，包括以下步驟：（1）對每一個低功率芯片加貼一個標簽，每個標簽對應(yīng)一個ID，該標簽至少包括以下信息：a、關(guān)鍵工序的時間，b、沉積爐批次，c、電極位置的格式編碼；（2）將ID與電性能測試結(jié)果逐一對應(yīng)并儲存在測試電腦上，將所有的低功率芯片的ID與電性能測試結(jié)果對應(yīng)并匯集到唯一個數(shù)據(jù)庫；（3）需要分析某個低功率芯片時，通過對該低功率芯片的ID進行分析，提取出其標簽上的所有電性能測試結(jié)果，以數(shù)據(jù)列表或者圖表方式呈現(xiàn)。通過本發(fā)明能夠得到有效的、有針對性的、準確的、完整的直觀信息，顯著提高了分析處理非晶硅薄膜太陽能電池低功率芯片的效率和準確性。