一種MPCVD生長(zhǎng)臺(tái)的升降裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110743448.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113502462B 公開（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113502462B 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) C23C16/458（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 胡常青;趙建海 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海鉑世光半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海邦德專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余娜
地址 201707上海市青浦區(qū)新科路303號(hào)1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MPCVD生長(zhǎng)臺(tái)的升降裝置，包括固定裝置、動(dòng)力裝置、調(diào)節(jié)裝置和檢測(cè)裝置，固定裝置和動(dòng)力裝置連接，動(dòng)力裝置和調(diào)節(jié)裝置傳動(dòng)連接，調(diào)節(jié)裝置一側(cè)設(shè)有若干檢測(cè)裝置，檢測(cè)裝置和調(diào)節(jié)裝置活動(dòng)連接，固定裝置包括框架、工作臺(tái)和反應(yīng)室，工作臺(tái)置于框架上側(cè)，框架和工作臺(tái)緊固連接，工作臺(tái)上側(cè)設(shè)有反應(yīng)室，工作臺(tái)上設(shè)有通孔，反應(yīng)室底側(cè)設(shè)有進(jìn)口，工作臺(tái)通孔和反應(yīng)室進(jìn)口連通，反應(yīng)室上設(shè)有反應(yīng)腔，調(diào)節(jié)裝置和檢測(cè)裝置置于反應(yīng)腔內(nèi)，調(diào)節(jié)裝置上側(cè)設(shè)有生長(zhǎng)臺(tái)，生長(zhǎng)臺(tái)和調(diào)節(jié)裝置緊固連接，固定裝置還包括底座，底座和框架緊固連接，底座一側(cè)設(shè)有動(dòng)力裝置。