高效高亮度多有源區(qū)隧道再生白光發(fā)光二極管
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN03157152.2 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN1275337C | 公開(公告)日 | 2006-09-13 |
| 申請公布號 | CN1275337C | 申請公布日 | 2006-09-13 |
| 分類號 | H01L33/00(2006.01) | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 沈光地;郭霞;郭偉玲;高國 | 申請(專利權)人 | 北京工大智源科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機構 | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人 | 北京工大智源科技發(fā)展有限公司;北京太時芯光科技有限公司 |
| 地址 | 100176北京市北京經濟技術開發(fā)區(qū)宏達北路12號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 高效高亮度多有源區(qū)隧道再生白光半導體發(fā)光二極管(LED),屬于半導體光電子技術領域,涉及一種發(fā)光二極管。本發(fā)明包括有依次縱向層疊的p型電極(1),紅色發(fā)光單元(14),隧道結(9),由綠色發(fā)光單元(15)、藍色發(fā)光單元(16)、及綠色發(fā)光單元與藍色發(fā)光單元之間的隧道結(9)或者由藍綠色發(fā)光單元(19)構成的下層芯片(17),n型電極(13),還包括有設在紅色發(fā)光單元和與其相鄰的隧道結(9)之間的或者設在下層芯片(17)和與其相鄰的隧道結(9)之間的芯片鍵合層(8)。本發(fā)明的發(fā)光二極管是一次電光轉換,發(fā)光效率高,由于材料為半導體材料,比基于熒光粉的器件的可靠性高,壽命長,色度逼真。 |





