一種發(fā)光二極管芯片及其制備工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202111499294.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114420816A | 公開（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申請公布號 | CN114420816A | 申請公布日 | 2022-04-29 |
| 分類號 | H01L33/42（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;B05D7/14（2006.01）I;B05D7/24（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉峰;吳銘欽 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇州工業(yè)園區(qū)雨竹半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京權(quán)智天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 盧超 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)蘇虹中路39號2幢2樓西側(cè) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片及其制備工藝，具體涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，包括防水抗?jié)衲?、藍寶石襯底、緩沖層、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和透明導(dǎo)電層。本發(fā)明可有效提高發(fā)光二極管芯片的抗?jié)穹浪阅埽瑫r保證芯片的高溫水液中浸泡處理的性能穩(wěn)定性，可有效防止芯片發(fā)生損傷；配方中的防水抗?jié)衲ぶ械难趸\在藍寶石襯底和芯片整體外部形成雙層氧化鋅鍍膜，可有效提高芯片的抗菌自清潔和耐溫性能，防水抗?jié)衲ぴ谘趸\鍍膜外部制成雙層氧化鋁鈍化層，可有效加強芯片的多重防水抗?jié)裥阅?；第二層氧化鋅鍍膜和第二層氧化鋁鈍化層直接包裹在整個芯片外部，可有效加強芯片的耐高溫和防水抗?jié)裥阅堋?/td> |
