一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610382107.6 申請日 -
公開（公告）號 CN105887201B 公開（公告）日 2018-06-19
申請公布號 CN105887201B 申請公布日 2018-06-19
分類號 C30B29/28;C30B19/00;C30B19/10 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊青慧;郝俊祥;張懷武;馬博;饒毅恒;田曉潔;賈利軍 申請（專利權(quán)）人 成都威頻科技有限公司
代理機構(gòu) 電子科技大學專利中心 代理人 電子科技大學;成都威頻科技有限公司
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，本發(fā)明涉及石榴石厚膜的制備方法，具體提供一種石榴石單晶厚膜的液相外延間歇式生長方法，首先制備熔體、清洗基片，并進行薄膜試生長，得到生長速率隨生長溫度變化的模擬曲線E和薄膜晶格常數(shù)隨生長速率變化的模擬曲線F；然后進行厚膜初次生長，得到具有一定厚度的單晶石榴石薄膜，對初次生長得到的薄膜進行晶格失配測試，依據(jù)模擬曲線E、F調(diào)節(jié)薄膜生長溫度進行再次生長；多次重復直到晶格匹配，在晶格匹配下生長得到預設(shè)厚度。本發(fā)明通過間歇式生長方式得到了單晶石榴石厚膜，該膜與基底之間的晶格匹配度良好，為單晶態(tài)；薄膜的結(jié)構(gòu)致密、表面平整，厚度可達100μm以上，是一種可應用于微波及磁光器件中的良好材料。