控制釘扎層疇結(jié)構(gòu)在巨/隧穿磁電阻結(jié)構(gòu)實現(xiàn)多態(tài)存儲的方法及多態(tài)存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110528052.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113314166A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314166A 申請公布日 2021-08-27
分類號 G11C11/15（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 盧世陽;陳偉斌;劉宏喜;曹凱華;王戈飛 申請（專利權(quán)）人 致真存儲（北京）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京墨丘知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 代峰;谷軼楠
地址 100191北京市海淀區(qū)知春路23號5層504A、504B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種控制釘扎層疇結(jié)構(gòu)在巨/隧穿磁電阻結(jié)構(gòu)實現(xiàn)多態(tài)存儲的方法以及一種多態(tài)存儲器。其中，該方法包括：在所述自旋產(chǎn)生層中通入電流產(chǎn)生自旋流，從而產(chǎn)生自旋軌道力矩效應(yīng)；基于所述產(chǎn)生的自旋軌道力矩效應(yīng)改變所述反鐵磁釘扎層中反鐵磁磁序的數(shù)量、大小和方向中的至少一種，從而影響所述鐵磁被釘扎層中磁疇的數(shù)量、大小和方向中的至少一種；控制所述電流的大小，從而使得所述反鐵磁磁序產(chǎn)生多次不同程度的偏轉(zhuǎn)；基于磁電阻效應(yīng)讀出所述偏轉(zhuǎn)，進而實現(xiàn)一個物理存儲單元直接存儲多個阻態(tài)。