超晶格梯度能帶空穴勢(shì)壘層結(jié)構(gòu)以及紅外探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010997397.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112201712B 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN112201712B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉永鋒;張傳杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢高芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)黃龍山南路6號(hào)2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及空穴勢(shì)壘層技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種超晶格梯度能帶空穴勢(shì)壘層結(jié)構(gòu)，包括n級(jí)超晶格層，每級(jí)超晶格層均包括由下向上依次生長(zhǎng)的InAs層、第一GaSb層、AlSb層以及第二GaSb層，其中，所述InAs層的周期厚度為A，所述GaSb層的周期厚度為所述AlSb層的周期厚度為C，所述第二AaSb層的周期厚度為在第n級(jí)超晶格層中，x＝n?1，且在每級(jí)超晶格層中，總周期厚度A+B+C均相等。還提供一種紅外探測(cè)器，包括上述的超晶格梯度能帶空穴勢(shì)壘層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過改變各級(jí)超晶格層中AlSb層的插入位置，即處于處，即可實(shí)現(xiàn)能帶漸變，無需改變超晶格的周期厚度，維持各層生長(zhǎng)總時(shí)間不變，勢(shì)壘層導(dǎo)帶偏移小，價(jià)帶偏移大，滿足空穴勢(shì)壘層的設(shè)計(jì)需求，結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)靈活，材料容易實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)。