一種濺射鍍膜裝置及成膜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110697536.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113481478A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113481478A 申請公布日 2021-10-08
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張耀輝;宗璐 申請（專利權）人 合肥聯(lián)頓恪智能科技有限公司
代理機構 泉州企記知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 張柳
地址 230601安徽省合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)青龍?zhí)堵樊a(chǎn)業(yè)園研發(fā)樓D1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種濺射鍍膜裝置及成膜方法，涉及真空鍍膜技術領域。一種濺射鍍膜裝置及成膜方法，包括濺射源，濺射源包括電極板機構、陰極棒和靶材管，所述靶材管包裹在陰極棒的外部形成棒狀的陰極靶體，所述電極板機構的數(shù)量為兩個，且兩個所述的電極板機構相向放置，所述電極板機構之間形成有狹縫，所述狹縫內均勻分布有陰極靶體和氣孔結構，所述氣孔結構均勻分布于陰極靶體之間。本發(fā)明通過對電極和基板的側向設置，從而能夠有效的防止因靶材及其陰極正對基板，而造成的等離子體對基板表面膜層及薄膜晶體管、發(fā)光二極管和有機電致發(fā)光顯示器等元器件的損傷，進而間接的提升產(chǎn)品的質量，降低產(chǎn)品的不合格率。