一種高比表面積氮空位型氮化碳的制備方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210449645.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114671417A 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN114671417A 申請公布日 2022-06-28
分類號 C01B21/082（2006.01）I;C01B3/04（2006.01）I;B01J27/24（2006.01）I;B01J27/20（2006.01）I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 楊朋舉;楊志東;張紅霞;趙江紅 申請（專利權(quán)）人 山西大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 太原申立德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 030006山西省太原市塢城路92號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高比表面積氮空位型氮化碳的制備方法及其應(yīng)用，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以三聚氰胺為原料，進(jìn)行高溫煅燒聚合，得到黃色氮化碳中間體材料；再將氮化碳中間體材料置于管式爐中，并通入小分子有機(jī)酸蒸汽和氬氣的混合氣，進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，降溫后即制得高比表面積氮空位型氮化碳。本發(fā)明合成的高比表面積氮空位型氮化碳納米片的收率高，合成過程簡單、條件溫和，成本低，容易實(shí)現(xiàn)規(guī)?；苽?；合成過程只需要廉價的三聚氰胺和乳酸、甲酸為原料，且不需要特殊的處理設(shè)備；制備的氮化碳納米片比表面積大，并且在合成納米片的過程中引入大量的氮缺陷有利于提升電子和空穴的分離，從而有效提高光催化性能。