一種晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310338042.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103367551B 公開（公告）日 2015-08-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN103367551B 申請(qǐng)公布日 2015-08-19
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 付少劍;蔣文杰;何偉;劉聰;苗成祥;魏青竹;保羅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泗陽騰暉光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中利騰暉光伏科技有限公司;蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
地址 223800 江蘇省宿遷市泗陽縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)眾興東路211號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的擴(kuò)散工藝，主要涉及晶體硅太陽能電池生產(chǎn)過程中液態(tài)磷源擴(kuò)散法P-N結(jié)的制備，其特征在于，進(jìn)舟后首先在擴(kuò)散工序的升溫的過程中通少量氧氣，形成一層二氧化硅薄層，使得沉積在硅片表面的磷原子必須通過二氧化硅層這層薄膜才能擴(kuò)散進(jìn)入硅片，從而達(dá)到均勻擴(kuò)散的效果，然后先高溫通源沉積，可以快速有效的溶解金屬沉淀和金屬復(fù)合體，再進(jìn)行降溫僅通氮?dú)?，再進(jìn)行補(bǔ)源二次低溫通源沉積，極大地增加了吸雜的驅(qū)動(dòng)力，最后再進(jìn)行推進(jìn)、冷卻，采用本發(fā)明工藝，能夠有效提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，極大縮短生產(chǎn)時(shí)間，提升生產(chǎn)產(chǎn)能，節(jié)省磷源使用量，降低生產(chǎn)成本，且工藝簡單可行，不需要增加額外工序步驟和物料。