一種靜電釋放保護電路版圖及集成電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310172827.6 申請日 -
公開（公告）號 CN104143549B 公開（公告）日 2017-07-18
申請公布號 CN104143549B 申請公布日 2017-07-18
分類號 H01L27/02;H01L29/78;H01L29/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程婷;陶永耀 申請（專利權(quán)）人 炬力集成電路設計有限公司
代理機構(gòu) 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 熠芯（珠海）微電子研究院有限公司
地址 519000 廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號105室-20527
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種靜電釋放保護電路版圖，在硅襯底上布置金屬氧化物半導體MOS管，所述MOS管的漏端靠近襯底，布置于該MOS管的外側(cè)；而源端布置于該MOS管的內(nèi)側(cè)；所述漏端到襯底形成寄生二極管。本申請還公開了一種集成電路。本申請?zhí)峁┑撵o電釋放保護電路無需SAB和ESD植入，可以將源端和漏端的面積做的比較小，并且使得寄生電容變小，電路的反應速度變快。